王波
,
房昌水
,
孙洵
,
王圣来
,
顾庆天
,
李毅平
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01047
过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素. 本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试. 研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷. 实验证明, DKDP晶体可以在的过饱和度下实现快速生长, 但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.
关键词:
DKDP晶体
,
supersaturation
,
crystal growth
,
defect
周川
,
李明伟
,
尹华伟
,
宋洁
,
胡志涛
,
王邦国
人工晶体学报
针对转晶法生长KDP单晶过程,进行了流动与物质输运数值模拟,以获得生长过程中晶面溶质浓度(过饱和度)的变化规律.文中展示了晶体表面浓度分布随时间的变化过程;分析了不同转速和晶体尺寸,对晶面时均浓度场的影响.结果表明,转速越快,晶体表面过饱和度越高;晶体尺寸对其表面过饱和度的大小和分布也有较大影响.此外,由于空间上不对称,Z向和Y向晶面过饱和度分布有较大差异.在晶体处于静止或低转速,自然对流可能会对晶体表面的过饱和度分布产生影响.
关键词:
转晶法
,
KDP单晶
,
数值模拟
,
过饱和度
